200 keV V+注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟

计算物理 ›› 2006, Vol. 23 ›› Issue (6): 743-747.

200 keV V⁺注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟

王林香¹, 祝恒江¹, 张石峰², 王世亨²

1. 新疆师范大学物理系, 新疆乌鲁木齐 830054;
2. 新疆大学物理系, 新疆乌鲁木齐 830046

收稿日期:2005-06-30 修回日期:2006-01-09 出版日期:2006-11-25 发布日期:2006-11-25
作者简介:王林香(1979-),女,新疆乌鲁木齐,讲师,从事离子束注入模拟计算和核技术应用方面的研究.
基金资助:
新疆大学21世纪教研项目(20030106)资助项目

A Monte Carlo Simulation of Penetration Depth and Concentration Distribution for 200keV Vanadium Ions Implanted into Peanuts

WANG Lin-xiang¹, ZHU Heng-jiang¹, ZHANG Shi-feng², WANG Shi-heng²

1. Department of Physics, Xinjiang Normal University, Urumuqi 830054, China;
2. Department of Physics, Xinjiang University, Urumuqi 830046, China

Received:2005-06-30 Revised:2006-01-09 Online:2006-11-25 Published:2006-11-25

摘要/Abstract

摘要： 在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上,用蒙特卡罗方法模拟计算了在一维和二维近似情况下,200 keV V⁺注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果较符合的曲线.并在同样初始条件和理论模型下,计算了200 keV N⁺注入植物种子的深度-浓度分布,为研究低能离子注入植物种子深度-浓度分布提供了一种初步的理论计算方法.

关键词: 离子注入, 蒙特卡罗模拟, 浓度-深度分布

Abstract: In one- and two- dimensional approximations,the penetration depth-concentration distribution for 200 keV vanadium ions implanted into peanuts is simulated using a Monte Carlo method.The calculation is in good agreement with experimental results.The depth-concentration distribution for nitrogen ions with low energy implanted into peanuts is calculated which can not be obtained with experiment.It provides a computational method for the depth-concentration distribution of ions with low energy implanted into seeds.

Key words: ion implantation, Monte-Carlo simulation, depth-concentration distribution

中图分类号:

王林香, 祝恒江, 张石峰, 王世亨. 200 keV V⁺注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟[J]. 计算物理, 2006, 23(6): 743-747.

WANG Lin-xiang, ZHU Heng-jiang, ZHANG Shi-feng, WANG Shi-heng. A Monte Carlo Simulation of Penetration Depth and Concentration Distribution for 200keV Vanadium Ions Implanted into Peanuts[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2006, 23(6): 743-747.

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