通用二维半导体器件模拟软件的设计

计算物理 ›› 2007, Vol. 24 ›› Issue (2): 247-252.

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通用二维半导体器件模拟软件的设计

贡顶¹, 王建国^1,2, 张殿辉¹, 张相华¹, 韩峰¹, 童长江¹, 张茂钰¹

1. 西北核技术研究所五室, 陕西西安 710024;
2. 西安交通大学电子与信息工程学院, 陕西西安 710049

收稿日期:2005-12-01 修回日期:2006-05-09 出版日期:2007-03-25 发布日期:2007-03-25
作者简介:贡顶(1981-),男,江苏,研究生,主要从事计算流体力学和高功率微波技术的研究工作,西安市69信箱15分箱710024.
基金资助:
国家高技术计划863-803资助项目

A General-purpose Two-dimensional Semiconductor Simulator

GONG Ding¹, WANG Jianguo^1,2, ZHANG Dianhui¹, ZHANG Xianghua¹, HAN Feng¹, TONG Changjiang¹, ZHANG Maoyu¹

1. Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an 710024, China;
2. School of Electronic and Inform. Eng., Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China

Received:2005-12-01 Revised:2006-05-09 Online:2007-03-25 Published:2007-03-25

摘要/Abstract

摘要： 介绍自行研制的通用二维半导体器件模拟软件GSS,该软件的求解器同时实现了漂移扩散模型和流体动力学模型,可对多种材料、不同结构的器件进行稳态和瞬态计算.作为算例,应用该软件对NPN三极管和MESFET管进行了数值模拟,给出了IV曲线、电子密度分布和温度变化等.

关键词: TCAD, 半导体数值模拟, 流体力学模型, 漂移扩散模型

Abstract: We develop a general-purpose two-dimensional semiconductor simulator (GSS),by which the drift-diffusion model and hydrodynamic model are calculated.It calculates steady-state and transient responses of the devices with different materials structures and is applied to an NPN transistor and MESFET.IV curves,electron density distribution and temperature variation are obtained.

Key words: TCAD, semiconductor device simulation, hydrodynamic model, drift-diffusion model

中图分类号:

TN43

贡顶, 王建国, 张殿辉, 张相华, 韩峰, 童长江, 张茂钰. 通用二维半导体器件模拟软件的设计[J]. 计算物理, 2007, 24(2): 247-252.

GONG Ding, WANG Jianguo, ZHANG Dianhui, ZHANG Xianghua, HAN Feng, TONG Changjiang, ZHANG Maoyu. A General-purpose Two-dimensional Semiconductor Simulator[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2007, 24(2): 247-252.

通用二维半导体器件模拟软件的设计

A General-purpose Two-dimensional Semiconductor Simulator

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