具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射

计算物理 ›› 2004, Vol. 21 ›› Issue (4): 311-315.

具有分形结构的SiC/SiO₂界面的粗糙散射

陈文建, 谢家纯, 徐军, 胡林辉, 董晓波

中国科学技术大学物理系, 安徽合肥 230026

收稿日期:2003-06-03 修回日期:2003-09-15 出版日期:2004-07-25 发布日期:2004-07-25
作者简介:陈文建(1978-),男,福建漳平,硕士生,从事宽禁带半导体器件物理和集成电路的设计.
基金资助:
国家自然科学基金(NSFC-50132040);中科院创新项目(KJCX2-SW-04)资助项目

The Coarse Dispersion of SiC/SiO₂ Fractal Interface

CHEN Wen-jian, XIE Jia-chun, XU Jun, HU Lin-hui, DONG Xiao-bo

Physics Department, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China

Received:2003-06-03 Revised:2003-09-15 Online:2004-07-25 Published:2004-07-25

摘要/Abstract

摘要： 用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度Δ,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC/SiO₂界面对沟道电子的粗糙散射.

关键词: 分形, SiC, 界面粗糙散射, MOSFET

Abstract: A fractal model of coarse surface of SiC by using structure function is presented.Three parameters rms roughness Δ,fractal dimension D,and correlative length L are used to describe the covariance function of surface height.The method calculating these parameters is also given.With the present model,one can calculate the coarse dispersion of SiC/SiO₂ fractal interface to channel electrons.

Key words: fractal, coarse interface dispersion, MOSFET, silicon carbide

中图分类号:

陈文建, 谢家纯, 徐军, 胡林辉, 董晓波. 具有分形结构的SiC/SiO₂界面的粗糙散射[J]. 计算物理, 2004, 21(4): 311-315.

CHEN Wen-jian, XIE Jia-chun, XU Jun, HU Lin-hui, DONG Xiao-bo. The Coarse Dispersion of SiC/SiO₂ Fractal Interface[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2004, 21(4): 311-315.

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具有分形结构的SiC/SiO₂界面的粗糙散射

The Coarse Dispersion of SiC/SiO₂ Fractal Interface

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