计算物理 ›› 2000, Vol. 17 ›› Issue (3): 331-336.
摘要: 应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射Monte Carlo方法,模拟E0≤5keV低能电子在多种多元介质中散射。计算了电子背散射系数,背散射电子能谱、角分布,入射电子、背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布,并与确定散射中心方法的结果比较。两种方法计算结果广泛一致,进一步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。入射电子能量较低,介质平均原子序数较大时,计算的背散射电子角分布不服从余弦分布律。
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