用边界元素法模拟FP-JTE终端结构

计算物理 ›› 1999, Vol. 16 ›› Issue (2): 192-198.

用边界元素法模拟FP-JTE终端结构

武自录, 罗晋生

西安交通大学微电子工程系, 西安 710049

收稿日期:1997-07-05 出版日期:1999-03-25 发布日期:1999-03-25
作者简介:武自录,男,34,工程师,博士
基金资助:
国家自然科学基金资助

Simulation of the fp jte planar junction termination with a boundary element method

Wu Zilu, Luo Jinsheng

Microelectronics Department, Xi'an Jiaotong University 710049

Received:1997-07-05 Online:1999-03-25 Published:1999-03-25

摘要/Abstract

摘要： 提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FP-JTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系,场板可减弱界面电荷对击穿电压的影响。

关键词: 边界元, 场板, 平面结终端, 结终端扩展

Abstract: A 2-D boundary element method is introduced for the simulation of high-voltage Junction termination.With the concept of critical electric field,this method does not need to perform ionization integral.The effect of interface charge to the breakdown voltage of FP-JTE junction termination has been analyzed.The result shows that the breakdown voltage almost linearly depends on the density of interface charge,and the field plate can suppress the breakdown voltage sensitivity to interface charge.

Key words: Boundary Element Method, field plate, planar junction termination, junction termination extension

中图分类号:

O241

武自录, 罗晋生. 用边界元素法模拟FP-JTE终端结构[J]. 计算物理, 1999, 16(2): 192-198.

Wu Zilu, Luo Jinsheng. Simulation of the fp jte planar junction termination with a boundary element method[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 1999, 16(2): 192-198.

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