电子注入在介质中输运的数值模拟

计算物理 ›› 1999, Vol. 16 ›› Issue (2): 183-191.

电子注入在介质中输运的数值模拟

张春, 吴克勇, 胡翠英

广州暨南大学物理系, 510632

收稿日期:1997-10-07 修回日期:1998-10-23 出版日期:1999-03-25 发布日期:1999-03-25
作者简介:张春,男,61,教授
基金资助:
国务院侨办自然科学基金项目

Numerical simulation of implanted electrons transport in the materials

Zhang Chunlin, Wu Keyong, Hu Cuiying

Dept.of physics, Jinan University, Guangzhou 510632

Received:1997-10-07 Revised:1998-10-23 Online:1999-03-25 Published:1999-03-25

摘要/Abstract

摘要： 针对非晶固态材料"短程有序而长程无序"的结构特点,从电子多次散射理论出发,在电子入射单元系介质的模型基础上,建立了能反映非晶固态材料结构特点的"散射单元"模型,用Monte Carlo 方法和电子输运方程模拟了电子入射在非晶材料中的输运过程,研究了电子在输运过程中能量损失分布的情况。此外,还考虑了多元系的成分特点。给出了计算结果。

关键词: 电子, 非晶态, 短程有序, Monte Carlo模拟

Abstract: Based on the model of the electron beam irradiating the matter having only single kind of atom and the elctron multiply scattering theory,this paper has constructed a scattering unit model mirroring the structure of the amprphous materials which have the characteristic of short range order but long range disorder.The electron energy loss distributions are calculated by means of Monte Carlo simulation and transport equation in the scattering unit model.In addition,the structure property of materials including several kinds of atoms are took into account.The calculatd results are given and discussed.

Key words: electron, amorphous, short range order, Monte Carlo simulation

中图分类号:

TN304.8

张春, 吴克勇, 胡翠英. 电子注入在介质中输运的数值模拟[J]. 计算物理, 1999, 16(2): 183-191.

Zhang Chunlin, Wu Keyong, Hu Cuiying. Numerical simulation of implanted electrons transport in the materials[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 1999, 16(2): 183-191.

[1]	罗强, 马智炜, 蒋冠臻, 邹江峰, 邱毅. Ge掺杂AlN电子和光学性质的第一性原理计算[J]. 计算物理, 2022, 39(5): 609-616.
[2]	程受广, 尹云倩, 钟菊莲, 许坤远. 基于维格纳方程的电子的古斯-汉欣位移[J]. 计算物理, 2021, 38(4): 431-440.
[3]	刘涛, 杨子义, 陈雨青, 高涛. 重费米子超导PuMGa₅(M=Co,Rh)结构、电子和热力学性质的第一性原理研究[J]. 计算物理, 2021, 38(1): 106-112.
[4]	李琳, 孙宇璇, 孙伟峰. 硫钒铜矿化合物电子结构和电致变色特性的第一原理研究[J]. 计算物理, 2020, 37(4): 488-496.
[5]	温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 李继军. 应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响[J]. 计算物理, 2020, 37(1): 119-126.
[6]	钱仁锋. c/u_A及m_i/m_e取值对于磁重联过程的影响[J]. 计算物理, 2019, 36(4): 427-439.
[7]	徐建, 杜成旭, 杜颖妍, 贾倩, 刘洋华, 毋志民. Mn掺杂LiZnN新型稀磁半导体磁电性质的第一性原理计算[J]. 计算物理, 2018, 35(6): 711-719.
[8]	李大伟, 高云亮, 朱芫江, 李进平. Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算[J]. 计算物理, 2018, 35(4): 487-493.
[9]	蔡鲁刚. 畸形钙钛矿DyMnO₃电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 计算物理, 2018, 35(3): 350-356.
[10]	孟续军, 王瑞利. 含温有界原子理论体系下电子状态方程不确定度的量化计算[J]. 计算物理, 2018, 35(2): 138-150.
[11]	柳福提, 张淑华, 程晓洪. 耦合形貌对Si₄团簇电子输运影响的第一性原理计算[J]. 计算物理, 2018, 35(2): 235-241.
[12]	徐小东, 周彬, 郭金川, 易明皓, 肖飞虎. 微结构X射线源中电子与阳极作用的蒙特卡罗模拟[J]. 计算物理, 2018, 35(1): 95-102.
[13]	李培源, 毋志民, 叶倩, 陈波, 王超强, 徐建, 杜成旭. 第一性原理计算Mn掺杂LiMgN新型稀磁半导体[J]. 计算物理, 2018, 35(1): 103-111.
[14]	李磊磊, 李维学, 戴剑锋, 王青. Zn空位对Al-P共掺杂ZnO电子结构影响的第一性原理计算[J]. 计算物理, 2017, 34(6): 713-721.
[15]	徐涵, 卓红斌, 杨晓虎, 侯永, 银燕, 刘杰. 超热电子在稠密等离子体中输运的混合粒子模拟方法[J]. 计算物理, 2017, 34(5): 505-525.