半导体四探针技术中二维电流场电势分布有限元分析

计算物理 ›› 1998, Vol. 15 ›› Issue (2): 165-170.

半导体四探针技术中二维电流场电势分布有限元分析

石俊生¹, 孙以材²

1. 云南师范大学物理系, 昆明 650092;
2. 河北工业大学电子工程系, 天津 300130

收稿日期:1996-10-04 修回日期:1997-05-08 出版日期:1998-03-25 发布日期:1998-03-25
作者简介:石俊生,男,37,副教授,硕士,云南师范大学物理系

CALCULATING POTENTIAL DISTRIBUTION OF TWO-DIMENSIONAL CURRENT FIELDS OF FOUR-POINT PROBE TECHNIQUE BY FEM

Shi Junshen¹, Sun Yicai²

1. Department of Physics, Yunnan Normal University, Kunmin 650092;
2. Department of Electronic Engineering, Hebei Polytechnical University, Tiangjin 300130

Received:1996-10-04 Revised:1997-05-08 Online:1998-03-25 Published:1998-03-25

摘要/Abstract

摘要： 对四探针测试半导体薄层电阻中二维电流场的电势分布采用有限元法(FEM)数值计算,并提出了计算模型。对几种常用的测试结构进行计算其电势分布证明了有限元方法的正确性。与以前所采用的镜像源法和图形变换法相比,该方法具有对任意形状的样品和任意放置探针具有同样简单和计算通用的特点。

关键词: 四探针, 电势分布, 数值计算, 有限元法

Abstract: The finite element method(FEM) is employed to calculate potential distributions of two-dimensional current fields in semiconductor sheet resistance measurements using a four-point probe and the model of calculation is presented, which has been tested and proved by calculating the potential distribution of several measurement shaped-samples. The FEM has characteristic of simpler and more common for any shape samples than the methods of electrical image and map transformation.

Key words: four-point probe, potential distribution, numerical calculation, FEM

中图分类号:

石俊生, 孙以材. 半导体四探针技术中二维电流场电势分布有限元分析[J]. 计算物理, 1998, 15(2): 165-170.

Shi Junshen, Sun Yicai. CALCULATING POTENTIAL DISTRIBUTION OF TWO-DIMENSIONAL CURRENT FIELDS OF FOUR-POINT PROBE TECHNIQUE BY FEM[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 1998, 15(2): 165-170.

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