中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

计算物理 ›› 1997, Vol. 14 ›› Issue (3): 333-339.

中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

李华, 牛胜利, 李原春, 李国政

西北核技术研究所, 西安 710024

收稿日期:1996-09-02 出版日期:1997-05-25 发布日期:1997-05-25
基金资助:
国防预研基金

THE MONTE CARLO CALCULATION OF CROSS SECTION OF SINGLE EVENT UPSET INDUCED BY NEUTRONS

Li Hua, Nui Shengli, Li Yuanshun, Li Guozheng

Northwest Institute of Nuclear Technology, P. O. Box 69, Xi'an 710024

Received:1996-09-02 Online:1997-05-25 Published:1997-05-25

摘要/Abstract

摘要： 单粒子效应是带电粒子在电子元器件中通过时,造成电子元器件的电离损伤,导致电子元器件的记录出错。考虑了10-20MeV中子与硅反应的主要反应道,利用Monte Carlo方法对中子射入硅器件中引起的单粒子反转进行模拟,得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离损伤,对不同临界电荷,计算了在16K动态RAM硅片中有一个灵敏单元发生反转时,中子入射注量及相应的单粒子反转截面。给出了反转截面与灵敏单元不同长宽比值和不同入射中子能量值的关系。

关键词: 反转截面, 单粒子效应, Monte Carlo模拟

Abstract: The Single Event Upset (SEU) of a 16 K random access memory (RAM) silicon chip induced by a beam of incident neutrons with 10-20 MeV energies is simulated by a Monte Carlo method. The angle distributions and energy distributions of the proton and alpha particles from the reactions of (n,p) and (n,α) have been obtained with the average angles and average energies of these outing charged particles. For different critical charge of the 16 K RAM silicon chip and different ratio of width and length of sensitive volume, the calculated results cover the incident neutron flux which can induce one upset of these sensitive volume in the chip, and the cross section of SEU of the chip.

Key words: Cross section of SEU, Single Event Effet, Monte Carlo simulation

中图分类号:

李华, 牛胜利, 李原春, 李国政. 中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算[J]. 计算物理, 1997, 14(3): 333-339.

Li Hua, Nui Shengli, Li Yuanshun, Li Guozheng. THE MONTE CARLO CALCULATION OF CROSS SECTION OF SINGLE EVENT UPSET INDUCED BY NEUTRONS[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 1997, 14(3): 333-339.

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