摘要: 采用特征差分方法研究了一类半导体问题的电子和空穴浓度方程(∂e)/(∂t)-(∂)/(∂x)(De(∂e)/(∂x))-μeq(∂e)/(∂x)-(∂μe)(∂x)qe-αμee(p-e+G)=-R(e,p)#br#(∂p)/(∂t)-(∂)/(∂x)(Dp(∂p)/(∂x))-μpq(∂p)/(∂x)-(∂μp)(∂x)qe-αμee(p-e+G)=-R(e,p)其中未知函数是电子和空穴浓度e,p。用特征差分方法对一维有界区域上的非齐次牛曼边界条件(∂e)/(∂x)|∂Ω=g(x,t),(∂p)/(∂x)∂Ω=r(x,t)及初始条件e(x,0)=e0(x),p(x,0)=p0(x)。分别给出区域内部和边界的计算方法,并且用最大模原理给出建立在线性差值上的特征差分方法的L∞-模估计,误差界为K(Δt+h)。