摘要： α粒子入射半导体RAM存贮器,使其产生软错误的现象,已在国外广泛报道,这种现象严重影响了未来超大规模集成电路的设计和发展,在超大规模集成电路的设计中,首先要考虑的因素是电荷收集效率和电荷收集随时间变化的情况。利用超大规模集成电路工艺制造的RAM存贮器,其结电容的面积非常小,结电容充电所需的电量也很小,因此单个α粒子入射所产生的非平衡载流子就足以使结电容充放电,从而使RAM存贮器的存贮信息丢失,这种信息丢失现象是随机的。非循环的、单端位的错误,它不是永久性的,即:发生错误的端位无物理损伤,因此叫做"软错误"实际上这种软错误完全可以通过后来的写循环使其恢复正常而且该端位再出现软错误的几率并不比其他端位大,此所谓"单粒子效应"。