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结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制

张发生, 张玉明

计算物理 2011, 28 (2): 306-312.

摘要（388）

PDF （303KB）（1057）

利用二维器件模拟软件ISE-TCAD 10.0,对结终端采用结扩展保护技术的4H-SiC PiN二极管平面器件进行反向耐压特性的模拟,并获得许多有价值的模拟数据.依据所得的模拟数据进行此种二极管器件的研制.实验测试表明,此二极管的模拟优化数据与实验测试的结果一致性较好,4H-SiC PiN二极管所测得到的反向电压达1600 V,该反向耐压数值达到理想平面结的击穿耐压90%以上.

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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真

张倩, 张玉明, 张义门

计算物理 2010, 27 (5): 771-778.

摘要（265）

PDF （299KB）（1046）

基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变.

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基于改进的压缩式随机游走算法对静态电源/地网的模拟

苏浩航, 张义门, 张玉明, 解敏, 满进财

计算物理 2007, 24 (6): 673-676.

摘要（260）

PDF （164KB）（1212）

将随机游走法和等效电路压缩相结合,对静态P/G网(Power and Ground Networks)进行分析.针对一个大规模的电路,在经过多层的参数提取和建模后,得到静态P/G网模型.首先根据网络的规律性,运用等效电路压缩法将原始的P/G网进行压缩处理,然后运用随机游走法求解,最后利用计算得到的化简网络电压值,通过相关的插值公式得到原网络的电压值.实验数据表明,改进的压缩式随机游走法可有效简化网络的复杂性,节省计算时间,计算速度提高到普通随机游走法的两个数量级以上.

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功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

王源, 张义门, 张玉明

计算物理 2003, 20 (5): 467-470.

摘要（349）

PDF （169KB）（1072）

提出了一种功率AlGaAs/GaAs HBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.

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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响

杨林安, 张义门, 于春利, 杨永民, 张玉明

计算物理 2003, 20 (5): 418-422.

摘要（296）

PDF （288KB）（1190）

分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.

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