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重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟
郭红霞, 陈雨生, 周辉, 贺朝会, 耿斌, 李永宏
计算物理
2003, 20 (5):
434-438.
用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.
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