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一种非均匀线型的互连线能量分布模型

张岩, 董刚, 杨银堂, 李跃进

计算物理 2014, 31 (1): 109-114.

摘要（328）

PDF （766KB）（1198）

基于互连线信号传输微分方程,推导非均匀互连线的电压和电流分布表达式,根据实际情况,考虑非理性激励提出包括前端驱动和后端负载的二端口非均匀互连电路各部分能量分布表达式.基于65 nm CMOS工艺参数,对方法进行计算仿真验证,计算结果与Hspice仿真结果比较误差小于5%,具有很高的精度.该方法适用于高性能全局互连的前端优化设计分析.

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基于S域RLC传输线模型的多芯片组件互连功耗计算

董刚, 杨银堂, 李跃进

计算物理 2006, 23 (6): 753-756.

摘要（270）

PDF （208KB）（1052）

为了分析多芯片组件的互连功耗,用RLC传输线模型对多芯片组件的互连进行表征,通过对输入互连的电流及其等效电阻的近似,推导出多芯片组件互连功耗的频域数学表达式,给出计算机仿真试验结果,对方法的有效性进行验证.

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SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟

王平, 杨银堂, 屈汉章, 杨燕, 李跃进, 贾护军

计算物理 2005, 22 (3): 245-250.

摘要（268）

PDF （362KB）（1143）

利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为10×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近33×107cm·s^-1,6H Sic接近30×107cm·s^-1.

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