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Al纳米线不同晶向力学行为和变形机制的模拟
侯兆阳, 牛媛, 肖启鑫, 王真, 邓庆田
计算物理    2022, 39 (3): 341-351.   DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.8433
摘要290)   HTML14)    PDF (14775KB)(1191)   

采用分子动力学模拟计算方法,考察具有较高层错能的Al纳米线沿不同晶向的力学行为和变形机制。在相同计算条件下与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线进行比较。结果表明:在力学行为方面,Al纳米线的弹性模量呈现明显的结构各向异性,满足E[111] > E[110] > E[100]的关系,这一关系在FCC金属纳米线中普遍成立;Al纳米线的屈服应力随晶向呈现σy[100] > σy[111] > σy[110]的关系,这一关系在具有较低层错能的FCC金属纳米线中不具有普遍性,这与体系中位错形成机制密切相关。根据拉伸变形过程微观结构的演变规律,阐明Al纳米线不同晶向的变形机制,并与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线的变形机制进行比较。结果表明,对于尺度较小的高层错能Al纳米线,Schmid因子和广义层错能均难以准确预测其变形机制。

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Al纳米线不同晶向力学行为和变形机制的模拟研究
侯兆阳 牛媛 肖启鑫 王真 邓庆田
计算物理   
录用日期: 2021-08-27