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200 keV V+注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟
王林香, 祝恒江, 张石峰, 王世亨
计算物理
2006, 23 (6):
743-747.
在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上,用蒙特卡罗方法模拟计算了在一维和二维近似情况下,200 keV V+注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果较符合的曲线.并在同样初始条件和理论模型下,计算了200 keV N+注入植物种子的深度-浓度分布,为研究低能离子注入植物种子深度-浓度分布提供了一种初步的理论计算方法.
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