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部分耗尽SOI晶体管电离辐射损伤的物理模型

何宝平, 刘敏波, 王祖军, 姚志斌, 黄绍艳, 盛江坤, 肖志刚

计算物理 2015, 32 (2): 240-246. DOI: TN386.1

摘要（331）

PDF （2392KB）（471）

从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和界面态与辐射剂量的关系,并从实验上对上述模型结果给予验证.结果表明,在实验采用的辐射剂量范围内,辐射诱导产生的氧化物陷阱电荷与辐射剂量满足负指数关系.模型中如果考虑空穴的退火效应,可以更好地反映高剂量辐照下的效应;辐射诱导产生的界面态与辐射剂量成正比例关系.

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PuH₃分子的几何构型及基态附近势能特征计算

祝生祥, 薛春荣, 肖志刚

计算物理 2004, 21 (6): 551-557.

摘要（248）

PDF （448KB）（1134）

目前还没有关于PuH₃的分子结构和分子光谱公开解密的资料与数据.基于密度泛函理论的全数值自洽场计算方法——离散变分方法(DVM),数值解相对论Dirac方程,在自由的钚原子和氢原子波函数的数值基及原子能级基础上计算了PuH₃分子的不同几何结构及势能曲线.等边三角棱锥形PuH₃分子基态的数据为:Pu-H键长=2.097726Å,键角θ(H-Pu-H)=119.102Å,H-H距离为3.616817Å,轨道总能量为-19869.834a.u.,费米能级E_f=-16.856eV.分析了反演对称等价的分子态以及非质心坐标对轨道总能量的影响.比较了PuH₂和PuH₃分子参数的全电子计算结果.

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