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重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

郭红霞, 陈雨生, 周辉, 贺朝会, 耿斌, 李永宏

计算物理 2003, 20 (5): 434-438.

摘要（283）

PDF （238KB）（1132）

用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.

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高能质子单粒子翻转效应的模拟计算

贺朝会, 陈晓华, 李国政

计算物理 2002, 19 (4): 367-371.

摘要（280）

PDF （324KB）（1226）

在分析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型,建立了模拟计算方法.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,产生电荷,导致单粒子效应,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系.并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较.

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