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重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

郭红霞, 陈雨生, 周辉, 贺朝会, 耿斌, 李永宏

计算物理 2003, 20 (5): 434-438.

摘要（283）

PDF （238KB）（1133）

用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.

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MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

郭红霞, 陈雨生, 周辉, 张义门, 龚仁喜, 吕红亮

计算物理 2003, 20 (4): 372-376.

摘要（242）

PDF （251KB）（1288）

简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

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