导航切换
计算物理
首页
期刊介绍
期刊简介
基本信息
征稿简则
期刊历史
编委会
第七届编委会
历届编委会
作者中心
投稿须知
作者登录
下载中心
修稿通知
最新录用
审稿中心
专家审稿
编委审稿
主编审稿
审稿政策
常见问题
常见问题
联系我们
English
期刊
出版年
关键词
结果中检索
(((钱祥忠[Author]) AND 1[Journal]) AND year[Order])
AND
OR
NOT
文题
作者
作者单位
关键词
摘要
分类号
DOI
Please wait a minute...
选择:
导出引用
EndNote
Ris
BibTeX
显示/隐藏图片
Select
静电场对SmC
*
相液晶作用的计算研究
钱祥忠
计算物理 1999, 16 (
3
): 316-320.
摘要
（
219
）
PDF
（196KB）（
951
）
可视化
采用自洽模拟方法,计算研究了分子层面内的静电场对SmC
*
相液晶螺旋结构和铁电特性的影响。结果表明,SmC
*
相液晶的螺距和极化强度平均值随场强增大而增大,且越接近阈值电场增大越快;指向矢倾斜角和分子取向序参量随场强增大而缓慢增大;阈值电场与液晶的本征螺距和自发极化强度有关,并随温度升高而减小。
相关文章
|
多维度评价
