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掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性
马瑞, 张华林
计算物理
2019, 36 (1):
99-105.
DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7803
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，系统研究掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性.掺杂使扶手椅型石墨烯纳米带（AGNRs）的带隙增大，不同位置掺杂AGNRs的带隙大小略有差异.在无磁性态，无论是否掺杂，锯齿型石墨烯纳米带（ZGNRs）都为金属.在铁磁态，掺杂使ZGNRs由金属转变为半导体.而处于反铁磁态时，无论是否掺杂，ZGNRs都为半导体，掺杂使其带隙发生改变.掺杂的AGNRs和ZGNRs的结构稳定，掺杂ZGNRs的基态为反铁磁态.掺杂菱形BN片可以有效调控GNRs的电子特性.
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