计算物理
功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法
唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华
EQUIVALENT CIRCUITS SIMULATION FOR SINGLE EVENT GATE RUPTURE OF POWER MOSFETs
TANG Ben-qi, WANG Yian-ping, GEN Bin, CHEN Xiao-hua
计算物理 . 2000, (S1): 77 -81 .  DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

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