功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

doi:10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

计算物理 ›› 2000, Vol. 17 ›› Issue (S1): 77-81.DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华

西北核技术研究所, 陕西西安 710024

收稿日期:1999-07-21 出版日期:2000-12-25 发布日期:2000-12-25
作者简介:唐本奇(1966~),男,湖南津市,副研,博士,从事半导体器件抗核加固的研究

EQUIVALENT CIRCUITS SIMULATION FOR SINGLE EVENT GATE RUPTURE OF POWER MOSFETs

TANG Ben-qi, WANG Yian-ping, GEN Bin, CHEN Xiao-hua

Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an, 710024, P R China

Received:1999-07-21 Online:2000-12-25 Published:2000-12-25

摘要/Abstract

摘要： 根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。

关键词: 功率MOS器件, 单粒子栅穿, 电路模拟

Abstract: A new model is established to perform simulation for Single-Event Gate-Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software. The application results have a very good agreement with the corresponding data in published articles.

Key words: power MOSFET, Single-Event Gate Rupture, circuit simulation

中图分类号:

TL99

唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华. 功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法[J]. 计算物理, 2000, 17(S1): 77-81.

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功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

EQUIVALENT CIRCUITS SIMULATION FOR SINGLE EVENT GATE RUPTURE OF POWER MOSFETs

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