计算物理
电荷直接隧穿特征时间的计算模型
杨红官, 李晓阳, 刘全慧
Characteristic Time of Direct Charge Tunneling in a Silicon Nanocrystal Based Memory
YANG Hongguan, LI Xiaoyang, LIU Quanhui
计算物理 . 2007, (1): 71 -77 . 

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