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功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华

计算物理 2000, 17 (S1): 77-81. DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

摘要（323）

PDF （172KB）（1245）

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。