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三维单芯片多处理器温度特性

王凤娟, 杨银堂, 朱樟明, 王宁, 张岩

计算物理 2012, 29 (6): 938-942.

摘要（273）

PDF （602KB）（1142）

给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器(3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor)的温度特性,通过Matlab分析热容、热阻和功耗对温度的影响.结果表明:减小热阻和功耗可以有效约束3D-CMP的稳态温度;热容增大可以导致3D-CMP温度上升时间变长,但不影响其最终稳态温度.

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考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型

王凤娟, 朱樟明, 杨银堂, 王宁

计算物理 2012, 29 (4): 580-584.

摘要（315）

PDF （3613KB）（1116）

针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;r越大,芯片温度越低;当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升;对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5%~1%.

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