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电荷直接隧穿特征时间的计算模型

杨红官, 李晓阳, 刘全慧

计算物理 2007, 24 (1): 71-77.

摘要（227）

PDF （399KB）（1147）

在分析硅基纳米存储器的势结构和价带混合效应对直接隧穿过程影响的基础上,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,发展了电子和空穴直接隧穿时间的计算模型.利用该模型数值计算了硅基纳米存储器的编程时间和保留时间,讨论了结构参数和外加偏压对器件存储性能的影响,指出需要设计新的器件结构模型来优化硅基纳米存储器的保留特性.

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