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高能质子单粒子翻转效应的模拟计算

贺朝会, 陈晓华, 李国政

计算物理 2002, 19 (4): 367-371.

摘要（280）

PDF （324KB）（1226）

在分析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型,建立了模拟计算方法.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,产生电荷,导致单粒子效应,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系.并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较.

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功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华

计算物理 2000, 17 (S1): 77-81. DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

摘要（323）

PDF （172KB）（1245）

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。

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