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同轴-环形TSV电学性能

王凤娟, 王刚, 余宁梅

计算物理 2018, 35 (2): 242-252. DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7615

摘要（578）

HTML （3）

PDF （5840KB）（1337）

针对性能优越的同轴-环形硅通孔（Coaxial-Annular Through Silicon Via，CA-TSV）结构，提出特征阻抗、功率、时间常数及寄生参数的解析模型，研究结构参数对电学特性的影响，并通过HFSS软件对S21参数进行验证.结果表明：增加CA-TSV的内径或减小其外径可以有效减小特征阻抗，而减小其内径或增加其外径可以有效减小功率；增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小RC等效电路的时间常数，而增大其内径或减小其外径可以有效减小RL等效电路的时间常数；增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小电阻并且可以使电容值显著提高.

参考文献 | 相关文章 | 多维度评价

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三维单芯片多处理器温度特性

王凤娟, 杨银堂, 朱樟明, 王宁, 张岩

计算物理 2012, 29 (6): 938-942.

摘要（273）

PDF （602KB）（1142）

给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器(3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor)的温度特性,通过Matlab分析热容、热阻和功耗对温度的影响.结果表明:减小热阻和功耗可以有效约束3D-CMP的稳态温度;热容增大可以导致3D-CMP温度上升时间变长,但不影响其最终稳态温度.

相关文章 | 多维度评价

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考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型

王凤娟, 朱樟明, 杨银堂, 王宁

计算物理 2012, 29 (4): 580-584.

摘要（315）

PDF （3613KB）（1116）

针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;r越大,芯片温度越低;当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升;对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5%~1%.

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考虑通孔和边缘效应的互连网络热电分析

王宁, 董刚, 杨银堂, 王增, 王凤娟, 丁灿

计算物理 2012, 29 (1): 108-114.

摘要（275）

PDF （4679KB）（1389）

考虑互连通孔和边缘效应,建立互连层间、层内、通孔热阻模型,利用热电二元性,提出一种考虑温度效应对热流影响的热电耦合仿真方法,利用热电之间的反馈关系,修正建模后的温度分布对节点网络热流的影响.并对以聚合物和硅氧化物为介质的多层互连进行分析,以有限元建模结果为参照,与已有模型相比,互连热分布结果的相对标准差分别降低了71.2%、12.9%.考虑通孔效应和边缘效应后,该方法在不同纳米级工艺中所得峰值温升,较已有模型均有一定程度的降低.

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