检索结果

期刊

出版年

关键词

Please wait a minute...

选择:

导出引用
EndNote Ris BibTeX

显示/隐藏图片

Select

重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

郭红霞, 陈雨生, 周辉, 贺朝会, 耿斌, 李永宏

计算物理 2003, 20 (5): 434-438.

摘要（283）

PDF （238KB）（1132）

用束径0.4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.

相关文章 | 多维度评价

Select

功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法

唐本奇, 王燕萍, 耿斌, 陈晓华

计算物理 2000, 17 (S1): 77-81. DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2000.01.014

摘要（323）

PDF （172KB）（1245）

根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。

作者中心

审稿中心

期刊浏览

期刊介绍