MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟

计算物理 ›› 2007, Vol. 24 ›› Issue (1): 109-115.

MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟

何宝平, 张凤祁, 姚志斌

西北核技术研究所, 陕西西安 710613

收稿日期:2005-08-12 修回日期:2005-12-07 出版日期:2007-01-25 发布日期:2007-01-25
作者简介:何宝平(1969-),男,陕西西安,助理研究员,硕士生,从事辐射效应方面的研究,西安69信箱10分箱710613.

Simulation of MOS Devices in Radiation and Post-irradiation

HE Baoping, ZHANG Fengqi, YAO Zhibin

Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an 710613, China

Received:2005-08-12 Revised:2005-12-07 Online:2007-01-25 Published:2007-01-25

摘要/Abstract

摘要： 模拟MOS器件脉冲电离辐射响应和长时间恢复效应.假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理.在整个退火恢复期,采用卷积模型并考虑了栅偏置压的效应.模拟结果表明:退火过程所加栅偏压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率.

关键词: 电离辐射, 界面态, 退火, 模拟

Abstract: The radiation response and long term recovery in MOS due to a pulse radiation are studied.It is assumed that electron tunneling from silicon into oxide and buildup of interface states are the post-irradiation recovery.The model uses convolution theory and considers the bias change in the recovery period.It shows that the bias in the post-irradiation recovery period and the ratio of the interface state to the electron tunneling influence the recovery rate.

Key words: ionizing radiation, interface state, annealing, simulation

中图分类号:

TN386.1

何宝平, 张凤祁, 姚志斌. MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟[J]. 计算物理, 2007, 24(1): 109-115.

HE Baoping, ZHANG Fengqi, YAO Zhibin. Simulation of MOS Devices in Radiation and Post-irradiation[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2007, 24(1): 109-115.

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