表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响

计算物理 ›› 2000, Vol. 17 ›› Issue (4): 449-454.

表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响

曾照明¹, 汤宝寅¹, 王松雁¹, 田修波¹, 刘爱国¹, 王小峰¹, 朱箭豪²

1. 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室, 黑龙江哈尔滨 150001;
2. 香港城市大学物理及材料科学系, 香港九龙

收稿日期:1998-06-08 修回日期:1999-07-24 出版日期:2000-07-25 发布日期:2000-07-25
作者简介:曾照明(1968~),男,四川,博士生,从事材抖表面处理方面的研究,哈尔滨工业大学焊接教研室150001

INFLUENCE OF SURFACE TRENCH ON UNIFORMITY OF PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION

ZENG Zhao-ming¹, TANG Bao-yin¹, WANG Song-yan¹, TIAN Xiu-bo¹, LIU Ai-guo¹, WANG Xiao-feng¹, CHU Paul K²

1. National Key Laboratory of Advanced Welding Production Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, P R C China;
2. Dept of Physics and Materials Sciences, City University of Hong Kong, KowLoon, Hong Kong

Received:1998-06-08 Revised:1999-07-24 Online:2000-07-25 Published:2000-07-25

摘要/Abstract

摘要： 利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入(PⅢ )中,具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况,计算了鞘层扩展过程中的电势分布、离子速度和离子密度变化,获得了沿靶表面的离子入射角度和注入剂量的分布情况,为等离子体浸没离子注入处理复杂形状靶提供了理论基础。

关键词: 等离子体浸没离子注入, 鞘层, 数值模拟

Abstract: The sheath expansion around a planar target with an arc trench during plasma immersion ion implantation(PⅢ) is simulated numerically with a two-dimensional fluid model.The sheath potential,ion velocity and ion density during sheath expanding are calculated.The distribution of ion incident angle and dose along the target surface is presented.It provides the theoretical base for treatment of the targets with complicated shape using plasma immersion ion implantation.

Key words: plasma immersion ion implantation, sheath, numerical simulation

中图分类号:

曾照明, 汤宝寅, 王松雁, 田修波, 刘爱国, 王小峰, 朱箭豪. 表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响[J]. 计算物理, 2000, 17(4): 449-454.

ZENG Zhao-ming, TANG Bao-yin, WANG Song-yan, TIAN Xiu-bo, LIU Ai-guo, WANG Xiao-feng, CHU Paul K. INFLUENCE OF SURFACE TRENCH ON UNIFORMITY OF PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION[J]. CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2000, 17(4): 449-454.

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